金融界2025年8月2日音讯，国家知识产权局信息数据显现，北京集成电路配备立异中心有限公司请求一项名为“双大马士革工艺办法”的专利，公开号CN120413523A，请求日期为2025年04月。

  专利摘要显现，本发明供给一种双大马士革工艺办法，触及半导体技术领域。该双大马士革工艺办法有：在基底上次序构成介电层、图画化的榜首硬掩膜层、榜首平整化层和图画化的第二硬掩膜层；使用第二硬掩膜层干法刻蚀构成停止于基底外表的通孔；去除第二硬掩膜层和榜首平整化层；使用榜首硬掩膜层干法刻蚀构成沟槽；去除榜首硬掩膜层；构成金属层填充通孔和沟槽，以得到双大马士革结构。该工艺办法能确保构成通孔的贯通性、通孔底部区域后续构成金属互连结构的低阻、通路；一起榜首硬掩膜层于通孔构成之后去除，能确保通孔要害尺度的准确传递，进步后续构成金属互连结构要害尺度的准确度，来提高芯片产品良率及器材功能。

  天眼查资料显现，北京集成电路配备立异中心有限公司，成立于2019年，坐落北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。经过天眼查大数据分析，北京集成电路配备立异中心有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目3次，产业线条，此外企业还具有行政许可6个。